内存条上都会有一串数字，这就是所谓的内存时序 内存时序和我们的内存频率一样 同样代表内存性能的高低 这串数字代表着内存工作的速度或者说是延迟 内存时序是内存性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。 它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数 （tRAS） 经常被省略。 而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。 这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。
内存条上都会有一串数字，这就是所谓的内存时序
内存时序和我们的内存频率一样
同样代表内存性能的高低
这串数字代表着内存工作的速度或者说是延迟
内存时序是内存性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数 （tRAS） 经常被省略。
而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。
这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。
| 名称 | 符号 | 定义 |
|---|---|---|
| CAS潜伏时间 | CL | 发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同，这不是最大值，而是内存控制器和内存之间必须达成的确切数字。 |
| 行地址到列地址延迟 | TRCD | 打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非活动行读取第一位内存的时间是TRCD + CL。 |
| 行预充电时间 | TRP | 发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取内存第一比特的时间是TRP + TRCD + CL。 |
| 行活动时间 | TRAS | 行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间，并与TRCD重叠。在SDRAM模块中，它只是TRCD + CL。否则，约等于TRCD + 2×CL。 |
总的来说，内存时序是越小越好
